Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso. ( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj ́s em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ ́s) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT ́s o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ ́s em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET ́s, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave. Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.